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    Sensor模塊die電損壞(ESD/EOS)!這兩者有什么區(qū)別呢?
    專欄:常見(jiàn)問(wèn)題
    發(fā)布日期:2023-04-07
    閱讀量:1797
    作者:安泰
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    那ESD和EOS是什幺呢?其過(guò)程持續(xù)時(shí)間可能是幾微秒到幾秒(也可能是幾納秒),很短的EOS脈沖導(dǎo)致的損壞與ESD損壞相似。5、測(cè)試設(shè)計(jì)欠佳,例如,在器件尚未加電或已超過(guò)其操作上限的情況下給器件發(fā)送測(cè)試信號(hào)。

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            傳感器的返修報(bào)告中顯示失效原因:Sensor模塊die電損壞(ESD/EOS)。那ESD和EOS是什么呢??jī)烧哂惺裁磪^(qū)別呢?


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       EOS為Electrical Over Stress的縮寫(xiě),指所有的過(guò)度電性應(yīng)力。當(dāng)外界電流或電壓超過(guò)器件的最大規(guī)范條件時(shí),器件性能會(huì)減弱甚至損壞。


    EOS通常產(chǎn)生于:


    1、電源(AC/DC)干擾、電源雜訊和過(guò)電壓。

    2、由于測(cè)試程式切換(熱氣換)導(dǎo)致的瞬變電流/峰值/低頻干擾。其過(guò)程持續(xù)時(shí)間可能是幾微秒到幾秒(也可能是幾納秒),很短的EOS脈沖導(dǎo)致的損壞與ESD損壞相似。

    3、閃電。

    4、測(cè)試程式開(kāi)關(guān)引起的瞬態(tài)/毛刺/短時(shí)脈沖波形干擾。

    5、測(cè)試設(shè)計(jì)欠佳,例如,在器件尚未加電或已超過(guò)其操作上限的情況下給器件發(fā)送測(cè)試信號(hào)。再比如在對(duì)器件供電之前加入測(cè)試信號(hào),或超過(guò)最大操作條件。

    6、來(lái)自其他設(shè)備的脈沖信號(hào)干擾,即從其他裝置發(fā)送的脈沖。

    7、不恰當(dāng)?shù)墓ぷ鞑襟E,工作流程不甚合理。

    8、接地點(diǎn)反跳(由于接地點(diǎn)不夠?qū)е码娏骺焖俎D(zhuǎn)換引起高電壓)。

     

       ESD是英文Electrical Static Discharge的縮寫(xiě),中文釋為靜電放電。電荷從一個(gè)物體轉(zhuǎn)移到另一物體。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,產(chǎn)生的方式多種,如接觸、摩擦等。靜電的特點(diǎn)是高電壓、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。人體自身的動(dòng)作或與其他物體的接觸,分離,摩擦或感應(yīng)等因素,可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電。靜電在多個(gè)領(lǐng)域造成嚴(yán)重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩大危害。生產(chǎn)過(guò)程中靜電防護(hù)的主要措施為靜電洩露,中和與遮罩等功能。靜電防護(hù)工作是一項(xiàng)長(zhǎng)期的系統(tǒng)工程,任何環(huán)節(jié)的失誤或疏漏,都將導(dǎo)致靜電防護(hù)工作的失敗。

     

    兩者對(duì)比區(qū)別


     

    EOS

    ESD

    典型地,由電源和測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生

    ESD屬于EOS的特例,有限的能量,由靜電荷引起

    事件持續(xù)時(shí)間在微秒~秒級(jí). (也可能是毫微秒)

    事件持續(xù)時(shí)間在微微秒~毫微秒級(jí)

    損壞的現(xiàn)象包括金屬線熔化、發(fā)熱、高功率、閂鎖效應(yīng)

    其可見(jiàn)性不強(qiáng)損壞位置不易發(fā)現(xiàn),

    短的EOS脈沖損壞看起來(lái)像ESD損壞

    通常導(dǎo)致電晶體級(jí)別的損壞

     

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